发明名称 一种大容量非易失的内存芯片电路结构
摘要 本实用新型涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构,属于微机系统芯片技术领域。技术方案是:包含多后备扩容芯片(1)、主电源(2)、后备电源一(3)、后备电源二(4)和内存芯片(5),所述多后备扩容芯片(1)的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片(5),多后备扩容芯片(1)通过主电源(2)与常备电源输入相连接,多后备扩容芯片(1)通过后备电源一(3)和后备电源二(4)分别与一个3.6V电池连接。本实用新型的有益效果是:可以大幅提高RAM容量,同时提供不间断的电源供给。
申请公布号 CN202677857U 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN201220332939.4 申请日期 2012.07.11
申请人 冀北电力有限公司唐山供电公司;北京华星恒业电气设备有限公司 发明人 甘景福;许自刚;韩丹;姜才海;刘福强;袁燕岭;牛冠清;吴超
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人 宴春红
主权项 一种大容量非易失的内存芯片电路结构,其特征是包含多后备扩容芯片(1)、主电源(2)、后备电源一(3)、后备电源二(4)和内存芯片(5),所述多后备扩容芯片(1)的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片(5),多后备扩容芯片(1)通过主电源(2)与常备电源输入相连接,多后备扩容芯片(1)通过后备电源一(3)和后备电源二(4)分别与一个3.6V电池连接。
地址 063000 河北省唐山市建设北路7号