一种结型场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种结型场效应晶体管（JFET）的制作方法，包括：制作具有第二掺杂类型的栅极区；制作具有沟道尺寸的沟道区；制作具有第一掺杂类型的源极区；以及制作具有第一掺杂类型的漏极区，其中通过调节栅极区的布局宽度来控制沟道区的沟道尺寸。

主权项

一种结型场效应晶体管（JFET）的制作方法，包括：制作具有第二掺杂类型的栅极区；制作具有沟道尺寸的沟道区；制作具有第一掺杂类型的源极区；以及制作具有第一掺杂类型的漏极区；其中通过调节栅极区的布局宽度来控制沟道区的沟道尺寸。