| 发明名称 | 高导磁率的微晶材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％，其导磁率为150000亨利/米，最大导磁率为420000亨利/米，其导磁率与最大导磁率较之前都得到了增加。 | ||
| 申请公布号 | CN102875024A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210398782.X | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 张家港市清大星源微晶有限公司 | 发明人 | 朱正才 |
| 分类号 | C03C10/00(2006.01)I | 主分类号 | C03C10/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人 | 孙高 |
| 主权项 | 高导磁率的微晶材料，其特征在于：所述高导磁率的微晶材料，包括铁、铌、铜、硅四种元素，其中铁元素所占的质量百分比为82.44±0.05％、铌元素所占的质量百分比为7.51±0.03％、铜元素所占的质量百分比为1.67±0.02％、硅元素所占的质量百分比为8.38±0.1％。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市金港镇德积新套村张家港市清大星源微晶有限公司 | ||