| 发明名称 | 填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。 | ||
| 申请公布号 | CN102874813A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210241251.X | 申请日期 | 2012.07.11 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 朴银秀;金奉焕;林相学;郭泽秀;裵镇希;尹熙灿;金相均;李真旭 |
| 分类号 | C01B33/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;王玉桂 |
| 主权项 | 一种用于填充间隙的填料，包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd其中，在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||