具有MOSFET熔丝元件的集成电路

摘要

MOS熔丝(200)的至少一个MOS参数经特征化以提供至少一个MOS参数参考值。随后，通过将编程信号施加于熔丝端子(204、206)以使得编程电流流过熔丝链(202)来对所述MOS熔丝(200)进行编程。测量熔丝电阻以提供与第一逻辑值相关联的测得熔丝电阻。测量经编程MOS熔丝的MOS参数以提供测得MOS参数值。将测得MOS参数值与所述参考MOS参数值进行比较以确定所述MOS熔丝的第二逻辑值，且基于所述比较输出位值。

主权项

一种金属氧化物半导体MOS熔丝，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的阱；所述阱中的阱分接点；所述阱中的作用区；熔丝元件，其具有阳极、阴极和在所述阳极与所述阴极之间延伸的熔丝链，至少所述熔丝链形成于所述作用区的一部分上、且由氧化物层与所述作用区分离；漏极区；源极区，所述熔丝链分离所述漏极区与所述源极区；第一感测块，其耦接到所述熔丝元件以测量所述熔丝元件的电阻，且将测量的所述电阻和熔丝电阻参考值进行比较以确定第一逻辑值；第二感测块，其耦接到所述作用区以测量MOS参数值，且将测量的所述MOS参数值和MOS参数参考值进行比较以确定第二逻辑值；以及比较器，其耦接以接收来自所述第一感测块的第一逻辑值和来自所述第二感测块的第二逻辑值，所述比较器产生对应编程位的第三值。