| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于该第一导电型衬底上；一栅极结构，包括一第一侧边与第二侧边，其中该第一侧边位于该第二导电型井区上；一第二导电型扩散源极，位于该第二侧边外侧的该第一导电型衬底上；一第二导电型扩散漏极，位于该第一侧边外侧的该第二导电型井区上；以及多个横向排列且互相分开的第一导电型埋环(buried rings)，形成于该第二导电型井区中，其中这些第一导电型埋环的掺杂轮廓从第二导电型扩散源极到第二导电型扩散漏极的方向逐渐变小。本发明实施例的半导体结构及其制造方法，可以同时提高击穿电压并降低导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102097469B | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN200910225437.4 | 申请日期 | 2009.12.10 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 张义昭;杜尚晖;许健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，所述的半导体结构包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于所述第一导电型衬底上；一栅极结构，包括一第一侧边与第二侧边，其中所述第一侧边位于所述第二导电型井区上；一第二导电型扩散源极，位于所述第二侧边外侧的所述第一导电型衬底上；一第二导电型扩散漏极，位于所述第一侧边外侧的所述第二导电型井区上；以及多个横向排列且互相分开的第一导电型埋环，形成于所述第二导电型井区中，其中所述第一导电型埋环的掺杂轮廓从所述第二导电型扩散源极到所述第二导电型扩散漏极的方向逐渐变小。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||