发光元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种发光元件及其制作方法，发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护结构区域包括第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上。第一电极形成在静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上，且不延伸至静电放电保护结构区域上。

主权项

一种发光元件，其特征在于，包括：基板；发光结构区域，形成在该基板上，且包含第一半导体层、发光层及第二半导体层；静电放电保护结构区域，形成在该基板上，且包含第三半导体层、主动层及第四半导体层；沟槽，其中该沟槽形成在该发光结构区域与该静电放电保护结构区域之间；导电层，其中该导电层配置在该沟槽上，且连接该发光结构区域与该静电放电保护结构区域；第一电极，其中该第一电极形成在该静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分该静电放电保护结构区域；以及第二电极，其中该第二电极形成在该发光结构区域上，且该第二电极不延伸至该静电放电保护结构区域上。