发明名称 一种薄膜烧蚀传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种薄膜烧蚀传感器及其制备方法,所述薄膜烧蚀传感器包括基底,设于基底上的过渡层,设于过渡层上的烧蚀电阻;所述烧蚀电阻包括引线焊接盘区;所述引线焊接盘区通过引线与转接板连接;所述烧蚀电阻上设有保护膜;所述基底上设有高度调节孔。本发明采用微机械加工技术制备该薄膜烧蚀传感器。根据本发明的薄膜烧蚀传感器制造工艺简单,可满足不同的测量精度要求。
申请公布号 CN102879434A 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN201210321877.1 申请日期 2012.09.04
申请人 中国电子科技集团公司第四十八研究所 发明人 景涛;谢贵久;颜志红;张建国
分类号 G01N27/04(2006.01)I 主分类号 G01N27/04(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 马强
主权项 一种薄膜烧蚀传感器,其特征在于,所述薄膜烧蚀传感器(1)包括基底(2),设于基底(2)上的过渡层(3),设于过渡层(3)上的烧蚀电阻(4);所述烧蚀电阻(4)上设有保护膜(6);所述烧蚀电阻(4)是由两个以上的电阻构成的电阻序列;所述电阻包括引线焊接盘区(5);所述引线焊接盘区(5)通过引线(10)与转接板(13)连接;所述基底(2)材料为硅片、Al2O3陶瓷、硼硅玻璃中的至少一种;所述过渡层(3)材料为Ta2O5;所述保护膜(6)为电介质材料。
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