发明名称 一种电光晶体压电振铃效应测量装置及其测量方法
摘要 本发明涉及激光技术领域,特别涉及一种电光晶体压电振铃效应测量装置及其测量方法,一种电光晶体压电振铃效应测量装置,包括光电探测器A和光电探测器B,在入射光路的中心线上依次设有薄膜偏振片D、1/2波片、法拉第光学旋转器、薄膜偏振片B、1/4波片、测试装置和全反镜,所述测试装置由高压驱动电源驱动,所述光电探测器A用于探测薄膜偏振片D上的反射光,所述光电探测器B用于探测薄膜偏振片B上的反射光。本发明在测量电光晶体振铃效应时,所需的高压驱动电源提供的电压降低了一倍,并且本发明可以实现BBO、KD*P等这种高电压晶体的压电振铃效应的测量。
申请公布号 CN102879723A 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN201210364597.9 申请日期 2012.09.26
申请人 北京工业大学;北京国科世纪激光技术有限公司 发明人 陈檬;杨超;李港;彭志刚;樊仲维;杨军红;麻云凤
分类号 G01R31/26(2006.01)I 主分类号 G01R31/26(2006.01)I
代理机构 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人 王秀丽
主权项 一种电光晶体压电振铃效应测量装置,包括光电探测器A(18)和光电探测器B(19),其特征在于,在入射光路的中心线上依次设有薄膜偏振片D(17)、1/2波片(15)、法拉第光学旋转器(14)、薄膜偏振片B(13)、1/4波片(11)、测试装置(9)和全反镜(8),所述测试装置(9)由高压驱动电源(10)驱动,所述光电探测器A(18)用于探测薄膜偏振片D(17)上的反射光,所述光电探测器B(19)用于探测薄膜偏振片B(13)上的反射光。
地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号