| 发明名称 | 噻吩并吡啶衍生物及其制备方法、以及使用该衍生物的有机半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供可用作有机半导体器件，特别是有机薄膜晶体管元件的下列以通式(1)所表示的新的噻吩并吡啶衍生物及其制备方法。式中，R<sup>1</sup>为氢原子、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的炔基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的芳杂环基、可具有取代基的烷硫基、可具有取代基的芳硫基、可具有取代基的酯基或以-SO<sub>2</sub>R<sup>2</sup>所表示的取代基，R<sup>2</sup>为可具有取代基的碳原子数1~20的烃基，W为选自可具有取代基的芳基和可具有取代基的芳杂环基的至少1种取代基。<img file="2011800242908100004DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="360" he="72" /> | ||
| 申请公布号 | CN102884068A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201180024290.8 | 申请日期 | 2011.03.14 |
| 申请人 | 国立大学法人广岛大学;可乐丽股份有限公司 | 发明人 | 大下净治;播磨裕;杉冈尚;金平浩一 |
| 分类号 | C07D495/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | C07D495/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孔青;李炳爱 |
| 主权项 | 1. 以下列通式(1)所表示的噻吩并吡啶衍生物：<img file="2011800242908100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="280" he="55" />式中，R<sup>1</sup>为氢原子、可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的炔基、可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的芳杂环基、可具有取代基的烷硫基、可具有取代基的芳硫基、可具有取代基的酯基或以-SO<sub>2</sub>R<sup>2</sup>所表示的取代基，R<sup>2</sup>为可具有取代基的碳原子数1~20的烃基，W为选自可具有取代基的芳基和可具有取代基的芳杂环基的至少1种。 | ||
| 地址 | 日本广岛县东广岛市 | ||