侧壁结构的可切换电阻器单元

摘要

一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极(28)，在该第一导电电极上形成绝缘结构(13)，在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件(14)，在该电阻率切换元件上形成第二导电电极(26)，以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件(22)，其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。

主权项

一种制备存储器器件的方法，包括：形成第一导电电极；图形化绝缘层以形成绝缘轨道，使得所述第一导电电极被暴露在邻近的绝缘轨道之间；在绝缘轨道的侧壁上并且与所述第一导电电极接触地形成电阻率切换元件；在所述电阻率切换元件上形成第二导电电极；以及在所述第一导电电极和所述第二导电电极之间形成与所述电阻率切换元件串联的导向元件；其中所述电阻率切换元件在从所述第一导电电极到所述第二导电电极的第一方向上的高度大于所述电阻率切换元件在与所述第一方向正交的第二方向上的厚度。