发明名称 | 固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备 | ||
摘要 | 本发明提供能增加饱和电荷量的固体摄像器件及其制造方法以及电子设备,该固体摄像器件包括:第一光电二极管,其包括形成于半导体基板的第一主面侧的第一个第一导电型半导体区和与第一个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第一个第二导电型半导体区;第二光电二极管,其包括形成于半导体基板的第二主面侧的第二个第一导电型半导体区和与第二个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第二个第二导电型半导体区;和栅极,其形成于半导体基板的第一主面侧,第二个第一导电型半导体区和第二个第二导电型半导体区之间的连接面的杂质浓度等于或大于第二个第二导电型半导体区的与第二个第一导电型半导体区相反侧的层的连接面的杂质浓度。 | ||
申请公布号 | CN102881698A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
申请号 | CN201210232192.X | 申请日期 | 2012.07.05 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 城户英男;榎本贵幸;富樫秀晃 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 褚海英;武玉琴 |
主权项 | 一种固体摄像器件,其包括:第一光电二极管,其包括形成于半导体基板的第一主面侧的第一个第一导电型半导体区以及与所述第一个第一导电型半导体区相邻地形成于所述半导体基板内部的第一个第二导电型半导体区;第二光电二极管,其包括形成于所述半导体基板的第二主面侧的第二个第一导电型半导体区以及与所述第二个第一导电型半导体区相邻地形成于所述半导体基板内部的第二个第二导电型半导体区;以及栅极,其形成于所述半导体基板的所述第一主面侧,其中,所述第二个第一导电型半导体区和所述第二个第二导电型半导体区之间的连接面的杂质浓度等于或大于所述第二个第二导电型半导体区的与所述第二个第一导电型半导体区相反侧的层的连接面的杂质浓度。 | ||
地址 | 日本东京 |