一种改善40nm双大马士革结构刻蚀通孔底部关键尺寸的方法

摘要

本发明提供一种改善40nm双大马士革结构刻蚀通孔底部关键尺寸的方法，包括沟槽刻蚀步骤、形成超低k介电绝缘层侧壁保护层步骤和形成暴露金属层的通孔步骤。本发明提供的方法能在1XDDALO刻蚀沟槽步骤中，既能保护了低k介电绝缘层的侧壁，也能增大了通孔底部的关键尺寸。

主权项

一种改善40nm双大马士革结构刻蚀通孔底部关键尺寸的方法，其特征在于，包括沟槽刻蚀步骤、形成超低k介电绝缘层侧壁保护层步骤和形成暴露金属层的通孔步骤；提供复合结构，从下到上依次为金属互联层、氮氧化硅层、超低k介电绝缘层、氧化物层、氮化钛层；所述沟槽刻蚀步骤，包括用比反应生成沉积物密度大的气体以低压高射频对复合结构进行等离子刻蚀形成沟槽，刻蚀至沟槽底部暴露出超低k介电绝缘层；所述形成超低k介电绝缘层侧壁保护层步骤，包括使用以CO/N2为主的混合刻蚀气体以高压高频方式，吸收反应生成的F2并在沟道侧壁上形成一保护层；所述形成暴露金属层的通孔步骤，包括使用非‑聚合物形成气体以高压高低频混合射频对复合结构的的沟槽进行进一步刻蚀到设计深度，以形成暴露金属层的沟槽。