| 发明名称 | 多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构及其制造方法，所述结构包括引脚（1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（13），所述引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的区域均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面相连通，所述小孔（4）内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102881664A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210140788.7 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 江苏长电科技股份有限公司 | 发明人 | 王新潮;梁志忠;李维平 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种多芯片倒装先封装后蚀刻无基岛封装结构，其特征在于：它包括引脚（1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（13），所述引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）上部和引脚（1）下部的区域以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面相连通，所述小孔（4）内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触。 | ||
| 地址 | 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 | ||