| 发明名称 | 栅极层沉积之后的退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在栅极介电层沉积之后的多阶段预热的高温退火工艺，该工艺减小了界面态的数量，并且改进了p-型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)的负偏压温度不稳定性(NTBI)性能。该栅极介电层可以包括界面氧化物层和高-k介电层。该多阶段预热被设计为降低掺杂剂的钝化以及用于改进界面氧化物层和高-k介电层之间的相互混合。高温退火用于减小位于硅衬底和界面氧化物层之间的界面处的界面态的数量。本发明还提供了一种栅极层沉积之后的退火方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102881575A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110399418.0 | 申请日期 | 2011.12.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;于雄飞;黄玉莲;林大文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种在硅衬底上制造p‑型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)器件的栅极结构的方法，包括：在所述衬底上形成所述栅极结构，其中，所述栅极结构包括开口，所述开口形成于去除了一个或多个伪层之后；在所述开口中的所述硅衬底上形成界面氧化物层；将高介电常数(高‑k)的介电层沉积在所述界面氧化物层上方；以及实施2阶段预热的高温退火，以减小位于所述硅衬底和所述界面氧化物层之间的界面处的界面态的数量，并且以改进所述PMOS器件的所述PMOS负偏压温度不稳定性(NTBI)性能，其中，在大约400℃至大约600℃的范围内的温度下实施第一阶段预热，并且其中，在大约700℃至大约900℃的范围内的温度下实施第二阶段预热，并且在875℃至大约1200℃的范围内的峰值温度下实施高温退火。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||