发光二极管封装结构及其制作方法

摘要

一种发光二极管封装结构的制作方法。首先，提供一承载器及一发光二极管芯片。发光二极管芯片配置于承载器上，且发光二极管芯片位于一凹穴内。接着，填入一第一封装胶体于凹穴内。第一封装胶体覆盖发光二极管芯片，且第一封装胶体内掺有一荧光材料。进行一第一烘烤步骤，以使第一封装胶体呈半固化态。之后，填入一第二封装胶体于凹穴内，且第二封装胶体覆盖于第一封装胶体上。

主权项

一种发光二极管封装结构的制作方法，包括：提供一承载器及一发光二极管芯片，该发光二极管芯片配置于该承载器上，且该发光二极管芯片位于一凹穴内，其中该发光二极管芯片的发光波长为440nm‑490nm；填入一第一封装胶体于该凹穴内，该第一封装胶体覆盖该发光二极管芯片，且该第一封装胶体内掺有一均匀分散的荧光材料，其中该第一封装胶体的材质为甲基系硅胶或乙基系硅胶；进行一第一烘烤步骤，使该第一封装胶体呈半固化态，其中进行该第一烘烤步骤以使该第一封装胶体呈半固化态的温度介于80℃至90℃之间，且时间介于5分钟至10分钟；填入一第二封装胶体于该芯片容置空间内，且该第二封装胶体覆盖于该第一封装胶体上，其中该第二封装胶体掺入荧光材料，该第二封装胶体选自光固化胶；以及进行一该第二烘烤步骤，以紫外光照射半固化态的该第一封装胶体，以使其产生光化学反应而完全固化该第一封装胶体及该第二封装胶体。