| 发明名称 | 一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法，包括以下步骤：1）在黑硅表面上制备一层中间层，其中所述黑硅为具有陷光结构的硅；2）在步骤1）得到的中间层上沉积金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触；3）对步骤2）得到的产物进行退火处理。该方法操作简单，成本低廉，该方法有效地结合黑硅技术、表面隔离保护技术及表面等离子体技术，实现了宽波段范围内的减反射效果，有利于应用在太阳能电池的工业化生产上。 | ||
| 申请公布号 | CN102881769A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210350141.7 | 申请日期 | 2012.09.19 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王燕;刘尧平;叶大千;梅增霞;杜小龙 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
| 主权项 | 一种用于黑硅的宽波段减反射方法，该方法包括以下步骤：1）在黑硅表面上制备一层中间层，其中所述黑硅为具有陷光结构的硅；2）在步骤1）得到的中间层上沉积金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触；3）对步骤2）得到的产物进行退火处理。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||