一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺

摘要

一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺，选取硅片，依次进行前表面制绒、磷扩散、去除磷扩散时表面形成的磷硅玻璃和前表面PECVD沉积氮化硅后，将带有前表面氮化硅减反射膜保护的硅片置于加热的碱液中进行背面抛光处理除去背面的扩散层，然后经清洗烘干后采用抗弯曲铝浆丝网印刷和烧结即可；该工艺采用化学方法代替等离子刻蚀工艺，实现硅片绒面整个生产流程中无接触，避免了硅片摩擦引起的绒面损伤，从而降低正面银浆烧结后发生漏电的概率；平坦、洁净的背表面有利于烧结时铝硅的反应，形成更均匀的铝背场，抛光面比不规则的绒面具有更强的反射作用，可以增加入射光的吸收，提高电池片长波长的光谱响应，显著提高短路电流和开路电压。

主权项

一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺，其特征在于，选取硅片，依次进行前表面制绒、磷扩散、去除磷扩散时表面形成的磷硅玻璃和前表面PECVD沉积氮化硅后，将带有前表面氮化硅减反射膜保护的硅片置于加热的碱液中进行背面抛光处理除去背面的扩散层，然后经清洗烘干后采用抗弯曲铝浆丝网印刷和烧结即可，所述的碱液为无机碱液，所述的无机碱液为氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液，其重量百分含量为10～40％，所述碱液的温度为50～90℃；或所述的碱液为有机碱液，所述的有机碱液为四甲基氢氧化铵或乙二胺的水溶液，其重量百分含量为10～30％，所述碱液的温度为50～90℃；所述的硅片为单晶硅片，其电阻率为0.5～5Ω·cm；所述的前表面制绒为：将硅片两两相并置于含有机溶剂的氢氧化钠水溶液中进行前表面腐蚀，腐蚀后的硅片再经酸洗、去离子水清洗即可。