| 发明名称 | 光刻曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种光刻曝光方法。该光刻曝光方法包括：提供基板；形成第一光刻胶层于该基板上；形成第二光刻胶层于该第一光刻胶层上，该第二光刻胶层的透光度随曝光量增加而先增后减；以及对该第二光刻胶层进行曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN101206407B | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN200710128668.4 | 申请日期 | 2007.07.09 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈达 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 许向华;彭久云 |
| 主权项 | 一种光刻曝光方法，包括：提供基板；形成第一光刻胶层于该基板上；形成第二光刻胶层于该第一光刻胶层上，该第二光刻胶层的透光度随曝光量增加而先增后减；以及对该第二光刻胶层进行曝光，其中该第二光刻胶层包括具有第一曝光强度的第一曝光区、具有第二曝光强度的第二曝光区以及具有第三曝光强度的第三曝光区，该第一曝光强度为最大，该第三曝光强度为最小，而该第二曝光强度介于该第一与第三曝光强度之间，在特定曝光期间，该第二曝光区的透光度大于该第一与第三曝光区的透光度，对应该第二曝光区的该第一光刻胶层接收较该第一光刻胶层其他区域更多的曝光累积量。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||