半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提出一种半导体装置及其制造方法，其中制造方法包含提供基材；形成至少一个栅极结构上于基材上；形成多个掺杂区域于基材中；形成蚀刻停止层于基材上；移除蚀刻停止层的第一部分，其中蚀刻停止层的第二部分仍保留在多个掺杂区域上；形成硬掩模层于基材上；移除硬掩模层的第一区域，其中硬掩模层的第二部分仍保留在至少一个栅极结构上；及形成第一接触点穿越硬掩模层的第二部分至至少一个栅极结构，及形成第二接触点穿越蚀刻停止层的第二部分至多个掺杂区域。本发明可避免蚀刻栅极结构，例如栅极层。作此预防也可减少栅极结构的接触电阻上升以提供装置效能的改进。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含：提供一基材；形成至少一栅极结构于该基材上；形成多个掺杂区域于该基材中；形成一蚀刻停止层于该基材上；移除该蚀刻停止层的一第一部分，其中该蚀刻停止层的一第二部分仍保留在所述多个掺杂区域上；形成一硬掩模层于该基材上；移除该硬掩模层的一第一部分，其中该硬掩模层的一第二部分仍保留在该至少一栅极结构上；以及形成一第一接触点由硬掩模层的该第二部分贯穿至该至少一栅极结构及一第二接触点由该蚀刻停止层的该第二部分贯穿至所述多个掺杂区域。