高击穿电压的双栅极半导体器件

摘要

一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。

主权项

一种用于控制高击穿电压的双栅极半导体器件的方法，所述方法包括：形成高击穿电压的双栅极半导体器件，所述器件包括在衬底上的金属氧化物半导体栅极和在阱区域中的结栅极，所述阱区域在所述衬底中；以及在所述阱区域中形成漏极；在所述衬底中形成源极；以及将控制电路耦合到所述结栅极，所述控制电路被配置成通过改变所述结栅极的有效电阻来控制在所述漏极与所述源极之间流动的电流，其中所述控制电路还包括配置成将来自所述金属氧化物半导体栅极的射频信号耦合到所述结栅极的电容器。