发明名称 |
一种柔性集成化超声换能器及其制备方法 |
摘要 |
一种柔性集成化超声换能器,由有机薄膜晶体管和压电传感器集成而成,具体是依次由基底、防潮隔离层、源漏电极、半导体薄膜层、栅介质层、栅电极层、电信号耦合层、压电薄膜层、电极层和超声耦合层构成。本发明为了便于制备二维柔性超声换能器阵列,采用柔性PET作为基底,PET基底上沉积一层二氧化硅薄膜用于隔离湿汽;用PVDF薄膜作为超声传感器的压电材料具有压电性能好、低声阻抗、与水和有机体具有良好的声阻抗匹配,从而使灵敏度提高、频带变宽;PVDF薄膜的高柔顺性为压电传感器集成提供良好的技术基础。采用有机薄膜晶体管作为内置信号放大,提高增益和信噪比,改善抗干扰能力。 |
申请公布号 |
CN101894855B |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201010204614.3 |
申请日期 |
2010.06.18 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
刘玉荣;姚若河;韦岗 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G10K9/125(2006.01)I;G10K11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种柔性集成化超声换能器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)采用磁控溅射在基底上沉积防潮隔离层;(2)在防潮隔离层上沉积金属薄膜层形成薄膜晶体管的漏源电极;(3)在具有漏源电极的基片上沉积半导体薄膜层;(4)在半导体薄膜上沉积有机绝缘膜,形成薄膜晶体管的栅介质层;(5)在绝缘膜上制备金属膜形成薄膜晶体管的栅电极层;(6)在栅电极上旋涂环氧树脂膜,形成电信号耦合层;(7)在环氧树脂膜上制备压电薄膜;(8)在压电薄膜上制备金属电极层形成压电传感器的上电极;(9)在上电极上制备环氧树脂膜,形成超声耦合层;基底采用聚对苯二甲酸乙二醇酯;半导体薄膜层为机半导体材料;栅介质层为有机绝缘材料;压电薄膜层为聚偏氟乙烯PVDF压电薄膜,防潮隔离层为二氧化硅或氮化硅。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |