| 摘要 |
반도체 디바이스의 피처 정의에 금속 층을 증착하기 위한 방법들이 제공된다. 일 구현에서, 반도체 디바이스를 형성하기 위해 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 금속 층을 증착하기 위해, 순환 금속 증착 프로세스를 수행하는 단계, 및 기판 상에 배치된 금속 층을 어닐링하는 단계를 포함한다. 순환 금속 증착 프로세스는, 기판 상에 금속 층의 부분을 증착하기 위해, 증착 전구체 가스 혼합물에 기판을 노출시키는 것, 플라즈마 처리 프로세스 또는 수소 어닐링 프로세스에 금속 층의 부분을 노출시키는 것, 및 금속 층의 미리 결정된 두께가 달성될 때까지, 증착 전구체 가스 혼합물에 기판을 노출시키는 것, 및 플라즈마 처리 프로세스 또는 수소 어닐링 프로세스에 금속 층의 부분을 노출시키는 것을 반복하는 것을 포함한다. |
