一种新型多量子阱发光二极管

摘要

本实用新型涉及了一种新型多量子阱发光二极管。所述的新型多量子阱发光二极管，其外延结构由下而上依次为衬底1、缓冲层2、未掺杂GaN层3、掺杂的GaN 层4、多量子阱InyGa1-yN/InxGa1-xN有源层5、电子阻挡层6、p型空穴层及接触层 7。多量子阱InyGa1-yN/InxGa1-xN有源层5包括InyGa1-yN垒层51和InxGa1-xN阱层52，InxGa1-xN阱层52包括三层，分别为：x逐渐增加的521层，x 定的522层，x逐渐减少的523层。其中0≤y＜1，y＞x，0＜x＜1。InyGa1-yN垒层51和InxGa1-xN阱层52周期数在5至15个周期之间。本使用新型结构会减少阱和垒之间的应力，极化作用减弱，获得了比较好的晶体质量；同时增加了电子和空穴注入量子阱中的效率，从而提高了光输出功率。

主权项

一种新型多量子阱发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管其外延结构由下而上依次为衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、掺杂的GaN层、多量子阱lnyGa1‑yN/InxGa1‑xN有源层、电子阻挡层、p型空穴层及接触层。