半导体结构及其形成方法

摘要

本发明披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且成分与第一III-V化合物层不同。一界面被限定在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。栅极设置在第二III-V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III-V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。

主权项

一种半导体结构，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，设置在所述第一III‑V化合物层上，并且成分与所述第一III‑V化合物层不同，其中，在所述第一III‑V化合物层和所述第二III‑V化合物层之间限定一界面；栅极，设置在所述第二III‑V化合物层上；以及源极部件和漏极部件，设置在所述栅极的相对侧上，所述源极部件和所述漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入所述第二III‑V化合物层中的相应金属间化合物，其中，每个金属间化合物都不含Au并且包括Al、Ti或Cu，并且与位于所述界面处的载流子通道接触。