| 发明名称 | 存储器电路 | ||
| 摘要 | 本发明所提供的是一种存储器电路，其中错误写入在加电时不太可能发生。存储器电路(10)包括：用于写入的P沟道非易失性存储器元件(15)，仅在写操作期间才在其源极与漏极之间施加电压以便写入数据；以及用于读取的N沟道非易失性存储器元件(16)，具有共同设置到P沟道非易失性存储器元件(15)的控制栅极和浮置栅极的控制栅极和浮置栅极，并且仅在读取期间才在其源极与漏极之间施加电压以便读取数据。 | ||
| 申请公布号 | CN102881328A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210242585.9 | 申请日期 | 2012.07.13 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 小山內润;广濑嘉胤;津村和宏;井上亚矢子 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;刘春元 |
| 主权项 | 一种用于通过使用非易失性存储器元件来写入和读取数据的存储器电路，包括：用于写入的P沟道非易失性存储器元件，仅在写操作期间才在其源极与漏极之间施加电压以便写入数据；以及用于读取的N沟道非易失性存储器元件，具有共同设置到所述P沟道非易失性存储器元件的控制栅极和浮置栅极的控制栅极和浮置栅极，并且仅在读操作期间才在其源极与漏极之间施加电压以便读取数据。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||