通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法及MOS晶体管

摘要

本发明提供了一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法及MOS晶体管。所述方法包括：第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层；第二步骤，用于在所述第一栅极氧化物层上形成浮栅；第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对所述浮栅进行刻蚀，从而使得所述浮栅的上边角部被圆化；第四步骤，用于在所述浮栅上形成第二栅极氧化物层；第五步骤，用于在所述第二栅极氧化物层上形成控制栅。在本发明提供的通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法中，由于上边角部通过各向同性刻蚀而被圆化，从而减弱或消除了浮栅的上边角部的局部的电场增强效应，因而不会出现较大的电荷损失，由此降低了造成数据保持失效的可能性。

主权项

一种通过边角圆化浮栅提高数据保持力的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片表面形成第一栅极氧化物层；第二步骤，用于在所述第一栅极氧化物层上形成浮栅；第三步骤，用于通过各向同性刻蚀对所述浮栅进行刻蚀，从而使得所述浮栅的上边角部被圆化。