半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分由均具有包括第一厚度的栅极电介质的栅极结构的半导体器件构成，所述第二部分由均具有包括第二厚度的栅极电介质的栅极结构的半导体器件构成，其中所述第二厚度大于所述第一厚度；n型器件区域，其存在于所述衬底的所述第一部分和所述第二部分中的每一个中，存在于所述n型器件区域中的半导体器件具有包括至少一种稀土金属的栅极结构；以及p型器件区域，其存在于所述衬底的所述第一部分和所述第二部分中的每一个中，存在于所述p型器件区域中的半导体器件具有包括含Ge层的器件沟道；其中存在于所述衬底的所述第一部分中的半导体器件为模拟器件，而存在于所述衬底的所述第二部分中的半导体器件为数字器件。