LED芯片的P型GaN层的制备方法

摘要

本发明提供了一种LED芯片的P型GaN层的制备方法，包括：步骤a)向MOCVD反应室里，通入H2，对反应室进行降压，并加热衬底；步骤b)降低反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在上述衬底上生长缓冲层；步骤c)升高反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在上述缓冲层上生长uGaN层；以及步骤d)在上述uGaN层上生长掺杂P型GaN层，其中，步骤d)包括在所述uGaN层上执行的以下处理：步骤d1)生长掺铟和镁的P型GaN层；以及步骤d2)从上述掺铟和镁的P型GaN层析出铟，形成掺镁P型GaN层。采用根据本发明的LED芯片的P型GaN层的制备方法，可制得P型GaN层的空穴浓度高的LED芯片。

主权项

一种LED芯片的P型GaN层的制备方法，包括：步骤a)向MOCVD反应室里，通入H2，对所述反应室进行降压，并加热衬底；步骤b)降低所述反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在衬底上生长缓冲层；步骤c)升高所述反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在所述缓冲层上生长uGaN层；以及步骤d)在所述uGaN层上生长掺杂P型GaN层，其特征在于，步骤d)包括在所述uGaN层上执行的以下处理：步骤d1)生长掺In和Mg的P型GaN层；以及步骤d2)从所述掺In和Mg的P型GaN层析出In，形成掺Mg的P型GaN层。