于半导体基板上制造贯穿互连线的方法

摘要

于半导体基板上制造贯穿互连线的方法，该方法包括以下步骤：在该基板的第一侧上形成部分贯穿该基板的介层孔、在该第一侧上及该介层孔中形成电气绝缘层、形成电气传导层，该电气传导层至少部分地作为该介层孔的内衬、在该介层孔中的传导层上中形成第一接触部、及自第二侧开始薄化该基板，至少达该介层孔中的绝缘层。该方法也包括在该基板的第二侧上形成与该第一接触部电气接触的第二接触部的步骤。在半导体晶片上执行此方法，以形成晶片尺度的互连元件。此外，该互连元件可用以构成如发光二极管系统的半导体系统。

主权项

一种于一半导体基板上制造一贯穿互连线的方法，包括：在该基板的第一侧中形成部分贯穿该基板的一介层孔；在该第一侧上及该介层孔中形成一电气绝缘层；在该绝缘层上形成一传导层，该传导层至少部分地作为该介层孔的内衬；在该基板的该第一侧上形成第一接触部，该第一接触部包括填满该介层孔并与该传导层电气接触的流动性金属；及薄化该基板的第二侧，至少达该绝缘层，其中该介层孔包括一底表面，且执行该薄化步骤，使该传导层的至少一部分留在该底表面上。