一种制备LED器件出光结构的方法

摘要

本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描，将GaN外延片与具有图形的蓝宝石衬底剥离，制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构复合的LED器件出光结构。本发明近乎无损的实现蓝宝石衬底与GaN外延片的分离，出光结构的表面由微米量级的周期性光栅结构和排布在周期性的光栅结构之中的深度和直径在10纳米到500纳米之间的纳米粗糙结构组合而成，从而提高了LED器件的外量子效率。

主权项

一种制备LED器件出光结构的方法，其步骤包括：1)在PSS蓝宝石衬底上生长GaN外延片；2)使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描，将GaN外延片与PSS蓝宝石图形衬底剥离，制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构组合的LED器件出光结构，所述光斑内部的能量分布为光斑中心能量最强，向四周能量逐渐变弱，所述整个光斑内部能量呈高斯分布或近似高斯分布。