用于高电压应用的具有改良的终端结构的沟槽DMOS器件

摘要

提供一种用于功率晶体管的终端结构。该终端结构包括具有有源区和终端区的半导体衬底。该衬底具有第一导电类型。终端沟槽位于该终端区中并且从该有源区的边界朝向该半导体衬底的边缘延伸。具有第二导电类型的掺杂区被布置在该终端沟槽的下方的衬底中。在与该边界邻近的侧壁上形成MOS栅极。该掺杂区从与该边界分隔开的该MOS栅极的一部分的下方朝向该半导体衬底的边缘延伸。终端结构氧化层被形成在覆盖该MOS栅极的一部分的该终端沟槽上并且朝向该衬底的边缘延伸。

主权项

一种用于功率晶体管的终端结构，所述终端结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区和终端区，该衬底具有第一导电类型；终端沟槽，所述终端沟槽位于所述终端区中并且从所述有源区的边界朝向所述半导体衬底的边缘延伸；掺杂区，所述掺杂区具有第二导电类型，布置在所述终端沟槽下方的所述衬底中；MOS栅极，所述MOS栅极形成在与所述边界邻近的侧壁上，其中所述掺杂区从所述MOS栅极的一部分的下方朝向所述半导体衬底的边缘延伸；终端结构氧化层，所述终端结构氧化层形成在覆盖所述MOS栅极的一部分的所述终端沟槽上，并且朝向所述衬底的边缘延伸；第一导电层，所述第一导电层形成在所述半导体衬底的背面上；以及第二导电层，所述第二导电层形成在所述有源区、所述MOS栅极的暴露部分的顶部，并且延伸以覆盖所述终端结构氧化层的一部分。