半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在二极管和IGBT被形成在同一半导体基板的主区域内的半导体装置中，为了得到稳定且足够大的检测IGBT电流，检测区域具有第一区域，所述第一区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的检测区域侧的端部的距离在615μm以上。此外，为了得到稳定且足够大的检测二极管电流，检测区域具有第二区域，所述第二区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的距离在298μm以下。检测区域可以同时具有第一区域和第二区域。

主权项

一种半导体装置，具备半导体基板，所述半导体基板包括主区域和检测区域，并且在俯视观察半导体基板时，检测区域小于主区域，其中，主区域包括主二极管和主绝缘栅双极性晶体管，所述主二极管具有：第一导电型的主阳极区，其被形成在半导体基板的表面上；第二导电型的主二极管漂移区，其被形成在主阳极区的下侧；第二导电型的主阴极区，其被形成在主二极管漂移区的下侧且半导体基板的背面上，所述主绝缘栅双极性晶体管具有：第一导电型的主集电区，其被形成在半导体基板的背面上；第二导电型的主漂移区，其被形成在主集电区的上侧；第一导电型的主体区，其被形成在主漂移区的上侧的、半导体基板的表面上；第二导电型的主发射区，其被形成在主体区的表面的一部分上；主绝缘栅电极，其从主发射区的表面起被形成至主体区与主漂移区相接的深度处，检测区域具有：第一导电型的检测集电区，其被形成在半导体基板的背面的至少一部分上；第二导电型的检测漂移区，其被形成在检测集电区的上侧；第一导电型的检测体区，其被形成在检测漂移区的上侧的、半导体基板的表面上；第二导电型的检测发射区，其被形成在检测体区的表面的一部分上；检测绝缘栅电极，其从检测发射区的表面起被形成至检测体区与检测漂移区相接的深度处，并且具有第一区域，在所述第一区域中，在俯视观察半导体基板时检测发射区距主阴极区的距离在615μm以上。