发明名称 | 氟化石墨烯在制备光电探测器件中的应用 | ||
摘要 | 本发明提供了氟化石墨烯的一种新用途,即利用氟化石墨烯作为光电敏感材料在制作光电探测器件及柔性光电探测器件中的应用。该器件可探测波长小于415nm的光。本发明首次利用氟化石墨烯作为光电敏感材料制作光电探测器件,采用柔性衬底可实现柔性的光电探测器件,相比有机半导体柔性光电探测器件,具有优良高频性能和低功耗的优势。而且氟化石墨烯的电阻可达1TΩ以上,利用氟化石墨烯制作的光电探测器具有非常低的暗电流噪声。通过化学气相沉积方法能够制备出大面积的石墨烯薄膜(对角线长度可达30英寸),这是目前其它无机宽带半导体薄膜不能达到的,因此可制作基于氟化石墨烯的超大规模光电探测阵列。 | ||
申请公布号 | CN102881759A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
申请号 | CN201210409506.9 | 申请日期 | 2012.10.24 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所 | 发明人 | 王兰喜;陈学康;郭磊;曹生珠;吴敢 |
分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人 | 马英 |
主权项 | 氟化石墨烯在制备光电探测器件中的应用。 | ||
地址 | 730000 甘肃省兰州市渭源路97号 |