局限工艺空间的PECVD腔室

摘要

本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。

主权项

一种用于处理半导体衬底的设备，所述设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有带有衬底传送开口的腔室主体；衬底支撑件，所述衬底支撑件设于所述处理腔室内，并限定所述处理腔室的上部和所述处理腔室的下部；盖组件，所述盖组件包括耦合至射频（RF）功率的导电气体分配器和与所述导电气体分配器隔绝的供电电极；以及屏蔽构件，所述屏蔽构件设于所述处理腔室的所述下部，所述屏蔽构件能通过所述屏蔽构件的在所述处理腔室外的延伸部而在所述处理腔室内定位。