| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行刻蚀工艺，形成图形化的抗反射层；以所述图形化的抗反射层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀工艺，形成图形化的硬掩膜层；去除所述抗反射层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀工艺，形成栅极。本发明提高了形成的栅极的形貌，改善了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102881597A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210388900.9 | 申请日期 | 2012.10.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李全波;张瑜;崇二敏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行刻蚀工艺，形成图形化的抗反射层；以所述图形化的抗反射层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀工艺，形成图形化的硬掩膜层；去除所述抗反射层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀工艺，形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||