| 发明名称 | 光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光刻方法，该方法包括：采用二氧化碳CO2和氢气H2的混合气体对衬底表面进行等离子体处理；在衬底表面旋涂光阻PR，形成光刻图案。采用该方法能够避免光刻图案剥落。 | ||
| 申请公布号 | CN102314078B | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201010228236.2 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 安辉;郝静安 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种光刻方法，该方法包括：采用二氧化碳CO2和氢气H2的混合气体对衬底表面进行等离子体处理，将衬底表面的羟基转变为防止立体位阻效应的甲基，衬底表面由亲水性转变为憎水性；在衬底表面旋涂光阻，并形成光刻图案；所述混合气体的流量为20至500标准状态毫升/分；CO2和H2的体积比例为1：20至4：1；等离子体处理的时间为10至70秒；等离子体处理的温度为0至60摄氏度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||