发明名称 |
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片 |
摘要 |
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片,它包括芯片,芯片的边缘为IGBT终端保护区,芯片的中间部分包括了IGBT元胞区、电流传感区和温度传感区;芯片正面上设有IGBT芯片栅极、IGBT芯片发射极、电流传感器负极、温度传感器正极和温度传感器负极,上述各电极之间通过对芯片表面金属化层刻蚀而间隔开来;IGBT芯片栅极和IGBT芯片发射极位于IGBT元胞区内,电流传感器负极位于电流传感区内,温度传感器正极和温度传感器负极位于温度传感区内,芯片背面上设有IGBT芯片集电极、电流传感区的电流传感器正极且两者同为一个电极。本发明具有结构更加简单紧凑、能够精准地监控和获取芯片工作时的温度和电流信息、以实现对模块内部芯片更好的保护、扩大其适用范围等优点。 |
申请公布号 |
CN102881679A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210355878.8 |
申请日期 |
2012.09.24 |
申请人 |
株洲南车时代电气股份有限公司 |
发明人 |
刘国友;覃荣震;黄建伟 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
赵洪;周长清 |
主权项 |
一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片,其特征在于:它包括芯片(5),所述芯片(5)的边缘为IGBT终端保护区(4),所述芯片(5)的中间部分包括了IGBT元胞区(1)、电流传感区(2)和温度传感区(3);所述芯片(5)正面上设有IGBT芯片栅极(11)、IGBT芯片发射极(12)、电流传感器负极(22)、温度传感器正极(31)和温度传感器负极(32),上述各电极之间通过对芯片(5)表面金属化层刻蚀而间隔开来;所述IGBT芯片栅极(11)和IGBT芯片发射极(12)位于IGBT元胞区(1)内,所述电流传感器负极(22)位于电流传感区(2)内,所述温度传感器正极(31)和温度传感器负极(32)位于温度传感区(3)内,所述芯片(5)背面上设有IGBT芯片集电极(13)、所述电流传感区(2)的电流传感器正极(21)且两者同为一个电极。 |
地址 |
412001 湖南省株洲市石峰区田心时代路169号 |