| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及其制造的薄膜晶体管，所述方法包括以下步骤：步骤1.提供一基板；步骤2.在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3.在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4.在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5.在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN102881653A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210370615.4 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 郑扬霖;萧祥志 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成第二金属层，该第二金属层包括形成于氧化物半导体层上的钛层及形成于钛层上的铜层，并通过光罩制程形成数据线与源/漏极；步骤5、在第二金属层上形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||