| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置。连接供电用活性区域(DV0)与供电用金属布线(MV0)的供电用插头包括以规定长度的第1间距(S0)配置的多个第1插头(PV2～PV5)、和直到最近的第1插头(PV5)为止的中心间距离不同于第1间距(S0)的整数倍的第2插头(PVX0～PVX2)。并且，与供电用活性区域(DV0)及供电用金属布线(MV0)最靠近的布线用插头、即第3插头(P50)最靠近的供电用插头是第2插头(PVX0，PVX1)。 | ||
| 申请公布号 | CN102884617A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201180020923.8 | 申请日期 | 2011.03.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中西和幸 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：在第1方向上延伸的供电用活性区域；活性区域，设置在所述供电用活性区域的、垂直于所述第1方向的第2方向的一侧，并且成为晶体管的源极或者漏极；栅极布线，设置在所述供电用活性区域的、所述第2方向上的设有所述活性区域的一侧，并且成为晶体管的栅极；供电用金属布线，设置在所述供电用活性区域的上层上；电路用金属布线，设置在所述活性区域及栅极布线的上层上；多个供电用插头，连接所述供电用活性区域与所述供电用金属布线；和多个布线用插头，连接所述活性区域与所述电路用金属布线或者连接所述栅极布线与所述电路用金属布线，所述多个供电用插头包括：以规定长度的第1间距配置的多个第1插头；和直到最近的所述第1插头为止的中心间距离不同于所述第1间距的整数倍的第2插头，所述多个布线用插头包括与所述供电用活性区域及所述供电用金属布线最靠近的第3插头，与至少1个所述第3插头最靠近的所述供电用插头是所述第2插头。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||