| 发明名称 | 采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102251281B | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110180017.6 | 申请日期 | 2007.02.28 |
| 申请人 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 发明人 | 关和秀幸;小林纯;宫本美幸 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B19/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;张永康 |
| 主权项 | 一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与得到的熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长，并且，所述ZnO与作为溶剂的PbO及Bi2O3的混合比为溶质∶溶剂＝5～30mol％∶95～70mol％，作为溶剂的PbO及Bi2O3的混合比为PbO∶Bi2O3＝0.1～95mol％∶99.9～5mol％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||