| 发明名称 | 发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光器件的封装结构及封装方法、显示装置，属于有机电致发光领域。该发光器件的封装结构包括：发光器件；在发光器件的顶电极上形成的季铵盐保护层，所述季铵盐保护层包括如下结构所示的化合物：<img file="DDA00002205839000011.GIF" wi="270" he="296" />其中，阴离子X-为采用Cl-，Br-，I-和NO<sub>3</sub>-中的一种或多种；取代基R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>相同或不同。本发明的技术方案能够对OLED顶发射器件进行封装，并且具有过程简单、固化时间短、成本低、氧气和水汽阻隔性好等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102881838A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210369893.8 | 申请日期 | 2012.09.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李娜;李周炫;金馝奭 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;赵爱军 |
| 主权项 | 1.一种发光器件的封装结构，其特征在于，包括：发光器件；在发光器件的顶电极上形成的季铵盐保护层，所述季铵盐保护层包括如下结构所示的化合物：<img file="FDA00002205838700011.GIF" wi="272" he="298" />其中，阴离子X-为Cl-，Br-，I-和NO<sub>3</sub>-中的一种或多种；取代基R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>相同或不同。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||