| 发明名称 | 低功耗EMCCD倍增信号驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法，通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管，由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。本发明通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管，从而减小输出级的同时导通时间，增强驱动能力，有效降低驱动电路自身的功耗，解决EMCCD倍增信号驱动电路在高频率、高电压下的高功耗问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102883116A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210407939.0 | 申请日期 | 2012.10.24 |
| 申请人 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 发明人 | 张猛蛟;李秋利;于洪洲;刘庆飞;刘艳;简云飞 |
| 分类号 | H04N5/372(2011.01)I | 主分类号 | H04N5/372(2011.01)I |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人 | 董建林 |
| 主权项 | 一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法，其特征是，通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管，由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。 | ||
| 地址 | 215163 江苏省苏州市高新区龙山路89号 | ||