| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102881789A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210374452.7 | 申请日期 | 2012.07.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 笔田麻佑子;驹田聪;海原竜 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：第一导电型氮化物半导体层；设置在所述第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层；设置在所述超晶格层上的活性层；设置在所述活性层上的第二导电型氮化物半导体层；所述超晶格层的平均载流子浓度高于所述活性层的平均载流子浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||