铜金属覆盖层的制备方法

摘要

一种铜金属覆盖层的制备方法，包括：步骤S1：提供具有冗余铜金属填充的半导体器件；步骤S2：化学机械研磨冗余金属铜填充所在的表面，并停止在所述防金属扩散层；步骤S3：化学湿法刻蚀去除所述铜金属填充，并使得铜金属填充的第二上表面较所述沟槽结构之第一上边沿具有预定高度h1的凹陷；步骤S4：淀积金属覆盖层；步骤S5：化学机械研磨去除防金属扩散层且铜金属填充的第二上表面具有金属覆盖层；步骤S6：淀积介质隔离保护层。本发明所述方法不仅可以在铜金属填充上淀积金属覆盖层，且避免低介电常数介质层污染。同时，改善铜金属填充与介质隔离保护层的粘附特性，减少了界面扩散和迁移，提高抗电迁移能力和应力迁移能力，最终提高了所述半导体器件的可靠性能。

主权项

一种铜金属覆盖层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供具有冗余铜金属填充的半导体器件；执行步骤S2：化学机械研磨所述具有冗余铜金属填充的半导体器件之冗余金属铜填充所在的表面，并将所述研磨停止在所述防金属扩散层；执行步骤S3：通过化学湿法刻蚀的方式去除所述铜金属填充，并使得所述铜金属填充的第二上表面较所述沟槽结构之第一上边沿具有预定高度h1的凹陷；执行步骤S4：在所述铜金属填充的第二上表面和所述防金属扩散层的第三上表面淀积金属覆盖层，所述金属覆盖层与所述铜金属填充形成金属对金属的化学键和金属键，并在电力作用下所述金属覆盖层与所述铜金属填充电性连接；执行步骤S5：通过化学机械研磨去除所述防金属扩散层，并对所述低介电常数介质层保持过研磨，以完全去除所述防金属扩散层且所述铜金属填充的第二上表面具有所述金属覆盖层，所述金属覆盖层与所述低介电常数介质层具有共平面的上表面；执行步骤S6：在所述金属覆盖层与所述低介电常数介质层共平面的上表面淀积所述介质隔离保护层，以防止所述金属覆盖层氧化或者腐蚀。