发明名称 |
一种铜大马士革结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种铜大马士革结构及其制造方法。其方法包括在第二铜金属互连层上,沉积第一刻蚀阻挡层和金属隔离层;光刻和刻蚀金属隔离层;再沉积第二刻蚀阻挡层和第一铜金属互连层间的介质并平坦化;然后刻蚀第一铜金属互连层间的介质、第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层;在沟槽上填充铜金属,得到并平坦化第一铜金属互连层。综上所述,本发明的结构是采用上下铜金属互连层中具有图形化的金属互连线直接搭接,替代传统互连结构中通孔结构来实现上下层金属线的导通,不导通部分,通过嵌入在上下铜金属互连层中的金属隔离层实现隔离。因此,本发明可以彻底减少通孔导致的金属连线传递的时间延迟。 |
申请公布号 |
CN102881673A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210366354.9 |
申请日期 |
2012.09.27 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
黄仁东 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种铜大马士革结构,其包括上下叠加设置的第一铜金属互连层(250)和第二铜金属互连层(100);所述第一铜金属互连层(250)具有图形化的第一金属互连线,以及第二铜金属互连层(100)具有图形化的第二金属互连线;其特征在于,所述第一金属互连线和第二金属互连线通过直接接触进行线路导通,不导通部分通过嵌入在所述第一铜金属互连层(250)和/或第二铜金属互连层(100)中的金属隔离层(220)进行隔离。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号 |