半导体器件精细图案的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线。本发明采用对有机层两侧进行离子注入的方式，形成硬化的侧壁层，然后灰化去除硬化侧壁层之间的未被注入的有机层，该硬化的侧壁层宽度即为精细图案的线宽，硬化侧壁层之间的空隙即为精细图案的间隔。采用本发明的制作方法在确保精细图案准确度的情况下，大大简化了自对准双图案技术。

主权项

一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积刻蚀目标层、有机层和第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，并图案化所述光阻胶层，图案化的光阻胶层之间的空隙定义精细图案的间隔；以图案化的光阻胶层为掩膜，依次刻蚀第一硬掩膜层和有机层；对有机层两侧壁进行离子注入，形成硬化侧壁，所述硬化侧壁的宽度定义精细图案的线宽，相邻硬化侧壁之间的宽度定义精细图案的间隔，该间隔与图案化的光阻胶层之间的空隙定义的精细图案的间隔相同；去除第一硬掩膜层后，显露出硬化侧壁和未被离子注入的有机层，灰化去除未被离子注入的有机层；以硬化侧壁为掩膜，对刻蚀目标层进行刻蚀，形成精细图案。