发明名称 一种叶片表面抗点蚀涂层及其制备方法
摘要 本发明提出了一种叶片表面抗点蚀涂层及其制备方法,所述涂层由里向外依次由粘结层、阻挡层和表面层组成;其中以纯金属Ti作为粘结层,由里向外依次以TiN和TiC作为阻挡层,以TiCN作为表面层;所述制备方法采用电弧离子镀膜机在叶片基体上依次沉积粘结层、阻挡层和表面层。本发明提出的多层抗点蚀涂层结构,具有较低的摩擦系数,较高的硬度,较好的耐磨性,良好的涂层和基体结合力,优越的抗点蚀能力;在制备过程中,要求沉积过程前,炉体真空度至少为6.7×10-3Pa,炉体温度为250℃~450℃,以减少沉积过程中对叶片基体材料组织的显著影响;采用特定的弧电流减少了在沉积过程中涂层表面的大颗粒,液滴以及空洞,使涂层表面光滑致密,均匀,抗腐蚀性能提高。
申请公布号 CN102392217B 申请公布日期 2013.01.16
申请号 CN201110376445.6 申请日期 2011.11.23
申请人 西北工业大学 发明人 张程煜;折洁;乔生儒;韩栋;李玫
分类号 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;F01D5/28(2006.01)I 主分类号 C23C14/06(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 陈星
主权项 一种制备叶片表面抗点蚀涂层的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:将叶片基体置于盛有丙酮溶液的超声清洗机中进行超声清洗,其中丙酮溶液浓度至少为99.9%,清洗时间至少为20min;将清洗后的叶片基体浸入无水乙醇溶液中脱水处理后干燥;步骤2:将经步骤1处理后的叶片基体固定在电弧离子镀膜机炉体的工件杆上;对炉体进行粗抽真空,而后开启加热器,使炉体温度升至250℃~450℃,加热过程中同步对炉体进行细抽真空,使炉体真空度至少为6.7×10‑3Pa;步骤3:保持炉体温度不变,向炉体通入纯度至少为99.9%的氩气,并且开启电弧离子镀膜机的偏压电源和靶材,对叶片基体表面进行清洗,在清洗过程中偏压电源的脉冲偏压幅值由700V按照均匀间隔升高至1000V,占空比为60%~70%,靶材为Ti靶,靶材电流为60A~120A,本步骤的清洗时间为10min~20min,工件杆转架转速为3转/min~8转/min;本步骤的清洗过程中保持炉体真空度为8×10‑1Pa~10×10‑1Pa;步骤4:保持炉体温度不变,调节Ti靶电流为60A~120A,偏压电源的脉冲偏压幅值为200V~400V,占空比为60%~70%;调节氩气流量使炉体内真空度为3×10‑1Pa~5×10‑1Pa,在叶片基体表面沉积纯金属Ti粘结层,沉积时间为20min~30min;步骤5:保持炉体温度不变,保持步骤4中氩气流量、Ti靶电流、脉冲偏压幅值及占空比的值不变,向炉体中通入纯度至少为99.9%的N2气,使炉体内真空度降低2×10‑1Pa~3×10‑1Pa,在粘结层上沉积TiN阻挡层,沉积时间为25min~35min;步骤6:保持炉体温度不变,保持步骤5中Ti靶电流、脉冲偏压幅值及占空比的值不变,关闭氩气和N2气输入,对炉体抽真空,使炉体真空度至少为6.7×10‑3Pa,而后向炉体内通入纯度至少为99.9%的氩气,使炉体真空度为3×10‑1Pa~5×10‑1Pa,再向炉体内通入纯度至少为99.9%的CH4,使炉体真空度降低2×10‑1Pa~3×10‑1Pa,在TiN 阻挡层上沉积TiC阻挡层,沉积时间为25min~45min;步骤7:保持炉体温度不变,保持步骤6中Ti靶电流、脉冲偏压幅值及占空比的值不变,保持氩气和CH4流量不变,向炉体中通入纯度至少为99.9%的N2气,使炉体真空度降低2×10‑1Pa~3×10‑1Pa,在TiC阻挡层上沉积表面层,沉积时间为30min~70min;步骤8:依次关闭靶电源,加热器、偏压电源,关闭CH4和N2气,将炉体冷却至100℃后,关闭氩气,叶片基体随炉冷却至室温后出炉。
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