| 摘要 |
依据一个例示性的实施例，用于在基板(204)上制造浮动闸极记忆体单元(202)之方法包括形成(172)间隔壁(230)邻接至层叠的闸极结构(208)之源极侧壁(234)之步骤，其中该层叠的闸极结构(208)为位在该基板(204)内之通道区域(226)之上方。该方法复包括形成(172)高能量植入掺杂区域(240)邻接至在该基板(204)之源极区域(222)内之间隔壁(230)。该方法复包括形成(174)凹槽(246)于该基板(204)之源极区域(222)之内，其中该凹槽(246)具有侧壁(248)、底部(250)、及深度(252)，并且其中该凹槽(246)之侧壁(248)为位在邻接至该浮动闸极记忆体单元(202)之源极(254)。依据此项例示性的实施例，该间隔壁(230)造成该源极(254)具有减少的侧向延伸及扩散于该通道区域(226)内，该减少的侧向延伸及扩散于该通道区域(226)内造成在该浮动闸极记忆体单元(202)内之汲极引发能带降低(drain induced barrier lowering)之减少。 |
