| 摘要 |
一种冠状电容结构，系包括有一基底层、至少一氮化钛下电极、一介电层以及一上电极层。该基底层包含有至少一金属接触垫，该至少一氮化钛下电极包含有一直接与该金属接触垫连接的底部导电体以及两与该底部导电体连接的侧导电体，该两侧导电体分别与该底部导电体的两端连接，并与该基底层具有一夹角，该介电层覆盖于该基底层及该氮化钛下电极之表面，该上电极层覆盖于该介电层远离该基底层一侧的表面。本新型利用该氮化钛下电极直接形成于金属接触垫上，避免额外设置低阻抗导电材料而减少开口率的问题，降低后续制程填入的困难度，而达到改善电容读写速度过慢的目的。 |
